CMP拋光液的流速快慢會(huì)有什么影響？

CMP拋光液的流速快慢會(huì)有什么影響？今天，吉致電子小編就給大家解釋一下CMP化學(xué)拋光液流動(dòng)性的影響。

現(xiàn)代芯片制造領(lǐng)域有兩種相互矛盾的趨勢(shì):待加工的工件尺寸越來(lái)越大，但要求的加工精度卻越來(lái)越高。比如下一代集成電路中的晶圓直徑要大于300mm，但表面粗糙度和波紋度要小于幾埃，下一代磁盤(pán)的劃痕深度和粗糙度要≤1nm和≤0.1nm，因此有必要對(duì)材料進(jìn)行分子去除（歡迎免費(fèi)注冊(cè)，登陸中國(guó)涂料在線（涂料在線）行業(yè)門(mén)戶網(wǎng)址www.zx446.com，免費(fèi)發(fā)布供求，免費(fèi)發(fā)布產(chǎn)品，免費(fèi)發(fā)布企業(yè)動(dòng)態(tài)）。

化學(xué)機(jī)械拋光液中所含的化學(xué)物質(zhì)與晶片表面或亞表面相互作用，形成軟化層或弱結(jié)合，或在晶片表面產(chǎn)生鈍化反應(yīng)，使材料被平滑均勻地去除，拋光液中的固體(納米)顆粒對(duì)工件軟化或弱鍵表面進(jìn)行磨損以達(dá)到鏡面拋光的效果。事實(shí)上，在CMP拋光中重要的相互作用是在利用拋光液在工件表面形成氧化膜和去除的過(guò)程(例如氧化和去除晶片上的金屬涂層)。拋光液的流動(dòng)性能與cmp拋光原理相結(jié)合，更容易被理解。

CMP集成電路拋光液的流變性對(duì)拋光速率和拋光質(zhì)量起著重要的作用。大多數(shù)晶圓拋光液含有固體顆粒，如氧化硅溶膠（二氧化硅拋光液），可以達(dá)到晶圓表面高平整度，磨料改變拋光液漿料的流變性質(zhì)。從物理上講，微流體是指一種流體:由剛性的、隨機(jī)取向的粒子(或球體)組成，粒子懸浮在粘性介質(zhì)中，而粒子本身的變形可以忽略不計(jì)。因?yàn)槎趸桀w粒通常是球型狀態(tài)，所以用微流體來(lái)表征。

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